Кт 829 технические характеристики. Составные -p- мощные биполярные транзисторы КТ829А (, M). Структура условного обозначения
Общие сведения
Транзисторы составные биполярные КТ829А (D, АМ) предназначены для использования в выходных каскадах автомобильных регуляторов напряжения, в схемах управления сервоприводом, а также в усилителях низкой частоты.
Структура условного обозначения
КТ829Х:
КТ - транзистор кремниевый биполярный;
8 - обозначение назначения транзистора (большой мощности
с граничной частотой от 3 до 30 МГц);
29 - порядковый номер разработки;
Х - классификационная группа по параметрам (А; D; АМ).
Условия эксплуатации
Условия эксплуатации транзистора КТ829А, D в соответствии с требованиями аАО.336.292 ТУ-86, транзистора КТ829АМ - аАО.336.292 ТУ/Д1-98. Температура окружающей среды от минус 60 до 100°С (КТ829А, D) и до 125°С (КТ829АМ). Температура корпуса транзистора от минус 40 до 100°С (КД829А, D) и от минус 60 до 125°С (КД829АМ). аАО.336.292 ТУ-86;аАО.336.292 ТУ/Д1-98
Технические характеристики
Предельно допустимые значения параметров транзисторов приведены в табл. 1, статические и динамические характеристики - в табл. 2.
Таблица 1
Наименование параметра | Буквенное обозначение | Режим измерения * | ||
КТ829А(D) | КТ829АМ | |||
Граничное напряжение, В, для групп: | U КЭО гр | 100 140 – | – – 100 | I K =0,1A |
Максимально допустимое напряжение коллектор-база, В, для групп: | U КБО mах | 100 200 – | – – 150 | I КБО =0,1 мА |
Максимально допустимое напряжение эмиттер-база, В | U ЭБО mах | 5 | I ЭБО =2 мА |
|
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А | I K mах | 8 | 10 | – |
Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А | I K, ИМП mах | 12 | ||
Максимально допустимый постоянный ток базы, А | I Б mах | 0,2 | ||
Максимально допустимый импульсный ток базы, А | I Б, ИМП mах | 0,5 | – | |
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт | p K mах | 60 | Т П =150 ° С |
|
Максимально допустимая энергия вторичного пробоя, мДж | E ВП mах | – | 20 | I K =2 A |
Максимально допустимая температура перехода, ° С | Т П mах | 150 | – | |
* Температура корпуса 25 ° С |
Таблица 2
Наименование параметра | Буквенное обозначение | Значение параметра для транзисторов типов | Режим измерения * | |
КТ829А(D) | КТ829АМ | |||
Обратный ток коллектор-база, мА | I КБО | 0,01 | U КБО для групп: |
|
максимальный | 0,2 | 0,1 | ||
Максимальный обратный ток эмиттер-база, мА | I ЭБО | 2 | U ЭБО =5 В |
|
Статический коэффициент передачи тока: | h 21Э | 750 2000 9000 | 1000 5000 12 000 | I K: |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: | U КЭ нас | 0,9 1 1,2 | I K: |
|
Напряжение насыщения база-эмиттер, В: | U БЭ нас | 2 2,5 | 1,6 1,8 |
|
Время выключения, мкс: | t ВЫКЛ | 4 6 | I K: |
|
Максимальное тепловое сопротивление | R Т П-К | 2,08 | U КЭ: |
|
* Температура корпуса 25 ° С. |
Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзисторов в корпусе КТ-28 (ТО-220) представлены на рис. 1, электрическая схема - на рис. 2.
Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзисторов КТ829А, D и КТ829АМ в корпусе КТ-28: 1 - база;
2 - коллектор;
3 - эмиттер
Электрическая схема транзисторов КТ829А, D и КТ829АМ: VT1, VT2 - транзисторы;
R1 - согласующий резистор 8 кОм (КТ829А, D и 10 кОм (КТ829АМ);
R2 - согласующий резистор 80 Ом (КТ829А, D) и 100 Ом (КТ829АМ);
VD1 - демпферный диод;
1-3 - по рис. 1 Масса транзисторов не более 3 г. Показатели надежности: минимальное время наработки 15 000 ч;
интенсивность отказов в течение времени наработки не более 10 - 6 1/ч;
минимальный 99,5% срок сохраняемости 10 лет.
В комплект поставки входят: транзисторы, этикетка (паспорт) с краткими техническими данными транзисторов, потребительская тара. Типовое количество транзисторов в единице тары 200 шт.